檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "周賢鎧".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="鈍化"
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本研究係以超高頻電漿輔助化學氣相沉積系統(VHF-PECVD)製備本質氫化非晶矽膜層用於鈍化單晶矽基材，研究重點之一為與射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備氫化非晶矽膜層來作比較外，…
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在矽晶太陽電池中晶片表面鈍化及抗光反射為重要的關鍵技術。本研究以原子層沉積法沉積氧化鋁薄膜於矽晶片表面上作為鈍化之使用。首先以電漿輔助原子層沉積系統及熱原子層沉積系統製備氧化鋁薄膜，研究重點為探討氧…
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本論文主要探討矽晶黑晶片表面抗反射結構的製作及其以原子層沉積氧化鋁作為黑晶片表面鈍化的機制。首先我們嘗試找出以水為氧源及三甲基鋁為鋁源的熱原子層沉積法合成氧化鋁膜的自我限制成長條件。結果發現，在基材…
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本論文係以射頻電漿輔助化學氣相沉積法，來探討單晶矽異質接合的最佳化程序，包含將本質層非晶矽沉積於n型單晶矽基材，以及沉積p型與n型非晶矽摻雜層。所使用的摻雜源為毒性稀釋之三甲基硼及三丁基磷。 本實驗…